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작성자 아이비발열똥망
작성일 2012-05-05 17:33:13 KST 조회 128
제목
마이충 저종자때문에 내가 프라.디언으로 까인다.

GSL 출범이래 2년동안 테란이 엄청 오래해먹은거 맞고 토스가 별의별 미친 짓으로 이리저리연구해서


발광한건 맞는데 좀 그만좀 아가.리 좀 다물면 안되냐??


미러문,인아이어와 더불어 3대 프라.디언 출신인 내가 봐도 넌 병신이다.

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발도장 찍기
아이콘 마이충 (2012-05-05 17:33:54 KST)
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제가 왜 병1신임 틀린말 한 것도 아닌데
아이콘 마이충 (2012-05-05 17:34:06 KST)
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글고 어디서 봤다고 반말하고 종자니 뭐니 합니까
Shouter (2012-05-05 17:34:09 KST)
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토스유저로써 부끄러움
아이콘 착한친구 (2012-05-05 17:34:20 KST)
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님 아이비 발열 쎔?
아이비발열똥망 (2012-05-05 17:35:03 KST)
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착한친구//4.5 오버땡기고 90도를 그냥 찍는 발열킹. 블룸필드보다 애미없으며

보통 샌디가 70대 초반.
Touko-Aozaki (2012-05-05 17:37:05 KST)
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3차원 트랜지스터 가면서 전압줄여서 누설전류 줄인거라 전압올라가면 누설전류 시망
아이비발열똥망 (2012-05-05 17:37:46 KST)
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ㄴ원래 공정 줄어들수록 전압은 적게먹습니다.

딸2램은 1.8~1.9정도 먹지만 디댤3은 1.5~1.6내외죠 보통
Touko-Aozaki (2012-05-05 17:42:55 KST)
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3차원 트랜지스터는 미세화했다기 보다 그냥 적층해서 평면집적도를 올린거예요
그리고 미세화도 한계가 도달하면서 인텔이 누설전류 잡으려고 실리콘을 탈피하긴 했는데 여전히 한계수준인건 마찬가지입니다. 회로가 전자 크기보다 작아져버리니 절연이 중요해지는데 이게 힘드니깐 전압자체를 줄여버린거죠.

3차원 게이트 트랜지스터로 전압을 더 줄여서 누설전류를 잡긴 했으나
1. 면적당 발열량은 소폭 증가
2. 전압 상승시 전류 누설현상 급격 증가
이 두가지 때문에 오버는 망.
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